第四代半导体金刚石晶圆制造项目

一、项目背景

1．市场分析：当前，全球半导体产业正处于从第三代宽禁带材料向第四代超宽禁带材料跨越的关键节点。金刚石作为超宽禁带半导体的核心代表，凭借其5.47eV超宽带隙、硅的5倍热导率、SiC的3倍击穿场强等极致性能，被公认为“后摩尔时代的终极半导体材料”，其晶圆制造项目正迎来从实验室科研向工业化量产转型的历史性机遇，市场呈现高增长潜力与多维度竞争并存的格局。

2．产业优势：西宁经济技术开发区作为西宁经济发展排头兵，产业基础良好，适合打造国内领先的第四代半导体金刚石晶圆制造基地，支撑我国半导体材料自主化与绿色低碳发展。

3．区位优势：东川工业园区位于西宁市东部，是西宁市连接海东的东大门，距离火车站、货运站4公里，距离西宁机场15公里，距离市中心8公里，区内路网纵横，交通便利，区位优势明显。

二、项目基本情况

项目建设第四代半导体金刚石晶圆制造生产线及附属设施。

三、建设条件

东川工业园区规划面积13.38平方公里，交通便利，区位优势明显，区内基础配套设施完善，达到“九通一平”，现有能力完全能够满足投资商生产、生活的需要。

四、合作方式

独资、合资或合作经营。

五、投资概算及经济效益

项目总投资39亿元。

联系单位：西宁经济技术开发区东川工业园区管理委员会

联 系 人：马玉孝

电    话：0971-8817555

传    真：0971-8125306

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